FQD5N20L中文资料功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，3.8 A，1.2 Ω，DPAK数据手册ONSEMI规格书
FQD5N20L规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•3.8A, 200V, RDS(on)= 1.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.9A栅极电荷低（典型值：4.8 nC)
•低 Crss（典型值6pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• LED 电视
技术参数
- 制造商编号
：FQD5N20L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：3.8
- PD Max (W)
：37
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：1250
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1200
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：4.8
- Ciss Typ (pF)
：250
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-252 |
33666 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
120 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ON |
21+ |
TO-252 |
17562 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
FAIRCILD |
22+ |
TO-252 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
SOT252 |
30000 |
询价 |
