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FQD4P40	文件：647.29 Kbytes Page：9 Pages	400V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：647.29 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQD4P40	文件：764.65 Kbytes Page：9 Pages	400V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：764.65 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQD4P40	文件：821.39 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel QFET® MOSFET -400 V, -2.7 A, 3.1 Ω Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using ON Semiconductor’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withsta 文件：821.39 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQD4P40	文件：917.83 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel QFET짰 MOSFET -400 V, -2.7 A, 3.1 廓文件：917.83 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQD4P40TM	文件：821.39 Kbytes Page：8 Pages	丝印：FQD4P40；Package：DPAK；P-Channel QFET® MOSFET -400 V, -2.7 A, 3.1 Ω Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using ON Semiconductor’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withsta 文件：821.39 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQD4P40	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-400 V，-2.7 A，3.1 Ω，DPAK 这些 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合基于互补半桥的电子灯镇流器。 •-2.7 A、-400 V、RDS(on) = 3.1 Ω（最大值）@ VGS = -10 V、ID = -1.35 A\n•低栅极电荷（典型值 18 nC)\n•低 Crss（典型值 11 pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQD4P40TF	文件：764.65 Kbytes Page：9 Pages	400V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：764.65 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQD4P40TM	文件：917.83 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel QFET짰 MOSFET -400 V, -2.7 A, 3.1 廓文件：917.83 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-400
VGS Max (V)：
-5
VGS(th) Max (V)：
-5
ID Max (A)：
-2.7
PD Max (W)：
50
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
3100
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
18
Ciss Typ (pF)：
520
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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