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FQI3N30	文件：724.04 Kbytes Page：9 Pages	300VN-ChannelMOSFET Features •3.2A,300V,RDS(on)=2.2Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical5.5nC) •LowCrss(typical6.0pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP3N30	文件：301.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQP3N30	文件：708.04 Kbytes Page：8 Pages	300VN-ChannelMOSFET 300VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF3N30	文件：720.6 Kbytes Page：8 Pages	300VN-ChannelMOSFET Features •1.95A,300V,RDS(on)=2.2Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical5.5nC) •LowCrss(typical6.0pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU3N30	文件：740.48 Kbytes Page：9 Pages	300VN-ChannelMOSFET 300VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU3N30	文件：330.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HM3N30PR	文件：1.79686 Mbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
KQB3N30	文件：62.64 Kbytes Page：2 Pages	300VN-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KSMD3N30	文件：1.65952 Mbytes Page：8 Pages	300VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU3N30	文件：1.65952 Mbytes Page：8 Pages	300VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
FQD3N30TM
功能描述：
MOSFET N-CH/300V/2.4A/2.2OHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQD3N30TM供应商更新时间2025-7-29 14:01:00

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