250V N-Channel MOSFET

250V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=4.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

N 沟道 QFET® MOSFET 250V，4.4A，1Ω

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •4.4A, 250V, RDS(on)= 1.0Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 2.2A栅极电荷低（典型值：6.6 nC)\n•低 Crss（典型值7.5pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半导体

250V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel QFET MOSFET 250 V, 4.4 A, 1.0

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FAIRCHILD

仙童半导体