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FQB22P10TM	文件：3.54075 Mbytes Page：5 Pages	Marking：FQB22P10；Package：TO-263；P-Channel Power MOSFET Application +DC/DCConverter «Portableequipmentandbatt ©PowerSwitch	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
FQB22P10TM_F085	文件：662.96 Kbytes Page：8 Pages	100V P-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI22P10	文件：636.26 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI22P10	文件：861.93 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP22P10	文件：628.54 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF22P10	文件：625.7 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF22P10	文件：362.51 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-13.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.125Ω(Max)@VGS=-10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·AutomaticTestEquipment ·High-SideSwitching ·BatteryChargers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSM22P10	文件：1.71843 Mbytes Page：6 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
TSM22P10	文件：680.74 Kbytes Page：7 Pages	-100VP-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
FQB22P10TM
功能描述：
MOSFET 100V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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