FQB34P10TM_F085: 100V P-Channel MOSFET -33.5A, 60mΩ

这些P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。 -33.5 A、-100 V、RDS(on) = 0.06Ω (VGS = -10 V)\n 低栅极电荷（典型值85 nC）\n 低Crss（典型值170pF）\n 快速开关\n 100% 经过雪崩击穿测试\n 提高了 dv/dt 性能\n 175°C最大结温额定值\n 符合 AEC Q101 标准\n 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

-33.5A, -100V, RDS(on) = 0.06廓 @VGS = -10 V

文件：1.20275 Mbytes 页数：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

ON
TO252

ON

上传：深圳诚思涵科技有限公司

TI
TO-252

TI

德州仪器

上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司

仙童
TO-252

仙童

上传：深圳市勤思达科技有限公司