N 沟道 QFET® MOSFET

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源。 •6.3 A，900 V，RDS(on) = 1.9 Ω（最大值），条件是 VGS = 10 V\n•低栅极电荷（典型值35 nC)\n•低Crss（典型值12 pF)\n•快速开关\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 性能;

ONSEMI

安森美半导体

900V N-Channel MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=6.3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.9Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

900V N-Channel MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司