isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 82mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

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ISC

无锡固电

200V N-Channel MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 200 V，32 A，82 mΩ，TO-3P

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •32A, 200V, RDS(on)= 82mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 16A栅极电荷低（典型值：82.5nC)\n•低 Crss（典型值185pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•100% avalanche tested;

ONSEMI

安森美半导体

200V N-Channel MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

200V N-Channel MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

200V N-Channel MOSFET

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Fairchild

仙童半导体