功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 200 V，28 A，82 mΩ，TO-220

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及电子镇流器。. •28A, 200V, RDS(on)= 82mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 14A栅极电荷低（典型值：82.5nC)\n•低 Crss（典型值185pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•100% avalanche tested;

ONSEMI

安森美半导体

200V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

200V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel MOSFET

FEATURES ·Drain Current -ID= 28A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.082Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Solar Inverters ·Switch Mode Power Supplies ·DC-DC Converters ·Motor drives

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ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电