FQA32N20C中文资料功率 MOSFET,N 沟道,QFET®, 200 V,32 A,82 mΩ,TO-3P数据手册ONSEMI规格书
FQA32N20C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•32A, 200V, RDS(on)= 82mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 16A栅极电荷低(典型值:82.5nC)
•低 Crss(典型值185pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 其他音频与视频
• Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor Correction (PFC)
• Electronic Lamp Ballasts
技术参数
- 制造商编号
:FQA32N20C
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:200
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:32
- PD Max (W)
:204
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:82
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:82.5
- Ciss Typ (pF)
:1700
- Package Type
:TO-3P-3L
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
5865 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3PN3L |
5865 |
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ON/安森美 |
25+ |
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询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
09+ |
TO-247 |
1 |
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FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO-247 |
9850 |
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ON/安森美 |
21+ |
SMD |
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FSC |
25+23+ |
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ONSEMI |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-247 |
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