FQA28N50中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，28.4 A，160 mΩ，TO-3P数据手册ONSEMI规格书
FQA28N50规格书详情
描述 Description
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥的电子灯镇流器。
特性 Features
•28.4 A、500 V、RDS(on) = 160 mΩ（最大值）（ VGS = 10 V、ID = 14.2 A）
•低栅极电荷（典型值 110 nC)
•低 Crss（典型值 60 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
技术参数
- 型号：
FQA28N50
- 功能描述：
MOSFET 500V N-Channel QFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO-3P |
15048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
531 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3P |
564 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
ROHSTO-3P |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+ |
TO-3P |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
FAIRCHIL仙童 |
25+ |
管3P |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
15+ |
TO-3P |
28880 |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-3P |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 |
