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FQA13N80_F109中文资料Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 12.6 A, 750 mΩ, TO-3P数据手册ONSEMI规格书
FQA13N80_F109规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•12.6A, 800V, RDS(on)= 750mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 6.3A栅极电荷低（典型值：68nC)
•低 Crss（典型值30pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机
• Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor Correction (PFC)
• Electronic Lamp Ballasts
技术参数
- 制造商编号
：FQA13N80_F109
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： N-Channel QFET® MOSFET 800V
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：
- V(BR)DSS Min (V)
：800
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：12.6
- PD Max (W)
：300
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：750
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：68
- Ciss Typ (pF)
：2700
- Package Type
：TO-3P-3LD / EIAJ SC-65
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
24+ |
NA |
30000 |
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FQA13N80-F109 |
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