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FQA13N50C-F109数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQA13N50C-F109规格书详情
描述 Description
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。
特性 Features
•13.5 A,500 V,RDS(on) = 480 mΩ(最大值),条件是 VGS = 10 V,ID = 6.75 A
•低栅极电荷(典型值43 nC)
•低 Crss(典型值20 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试除非另有说明,最大绝对额定值 TC = 25°C。
•提高了 dv/dt 性能
应用 Application
• High Efficiency Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor Correction (PFC)
• Electronic Lamp Ballasts
技术参数
- 制造商编号
:FQA13N50C-F109
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
:500
- VGS Max (V)
:4
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:13.5
- PD Max (W)
:218
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:480
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:43
- Ciss Typ (pF)
:1580
- Package Type
:TO-3P-3L
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHIL |
23+ |
NA |
3580 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FSC |
20+ |
TO-247 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHI |
21+ |
TO-247 |
1523 |
公司现货,不止网上数量!原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
24+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | ||
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
3600 |
原装现货,实单价格可谈 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
247 |
11 |
344 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
2016+ |
TO-3P |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-247 |
539 |
全新原装环保 |
询价 | ||
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
22+ |
NA |
35000 |
原装现货,假一罚十 |
询价 |