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FQA13N50C-F109数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQA13N50C-F109

功能描述

N-Channel QFET® MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 22:50:00

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FQA13N50C-F109规格书详情

描述 Description

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。

特性 Features

•13.5 A,500 V,RDS(on) = 480 mΩ(最大值),条件是 VGS = 10 V,ID = 6.75 A
•低栅极电荷(典型值43 nC)
•低 Crss(典型值20 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试除非另有说明,最大绝对额定值 TC = 25°C。
•提高了 dv/dt 性能

应用 Application

• High Efficiency Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor Correction (PFC)
• Electronic Lamp Ballasts

技术参数

  • 制造商编号

    :FQA13N50C-F109

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :500

  • VGS Max (V)

    :4

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :13.5

  • PD Max (W)

    :218

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :480

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :43

  • Ciss Typ (pF)

    :1580

  • Package Type

    :TO-3P-3L

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