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FQA13N50CF数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQA13N50CF规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•15A, 500V, RDS(on)= 480mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 7.5A栅极电荷低(典型值:43nC)
•低 Crss(典型值20pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•快速恢复体二极管(典型值100ns)
•Fast recovery body diode (Typ. 100ns)
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机
• Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor Correction (PFC)
• Electronic Lamp Ballasts
技术参数
- 制造商编号
:FQA13N50CF
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:500
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:15
- PD Max (W)
:218
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:480
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:43
- Ciss Typ (pF)
:1580
- Package Type
:TO-3P-3L
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO3P |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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FAIRCHILD |
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TO-247 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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21+ |
TO-3P |
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FAIRCHILD进口 |
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