首页>FQA13N50C_F109>规格书详情
FQA13N50C_F109数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQA13N50C_F109规格书详情
描述 Description
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。
特性 Features
•13.5 A,500 V,RDS(on) = 480 mΩ(最大值),条件是 VGS = 10 V,ID = 6.75 A
•低栅极电荷(典型值43 nC)
•低 Crss(典型值20 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试除非另有说明,最大绝对额定值 TC = 25°C。
•提高了 dv/dt 性能
应用 Application
• High Efficiency Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor Correction (PFC)
• Electronic Lamp Ballasts
技术参数
- 制造商编号
:FQA13N50C_F109
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-free
- Status
: Active
- Description
: N-Channel QFET® MOSFET 500V
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:
- V(BR)DSS Min (V)
:500
- VGS Max (V)
:4
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:13.5
- PD Max (W)
:218
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:480
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:43
- Ciss Typ (pF)
:1580
- Package Type
:TO-3P-3LD / EIAJ SC-65
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO3P |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
13880 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3PN3L |
13880 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
24+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | ||
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
3600 |
原装现货,实单价格可谈 |
询价 | ||
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
22+ |
NA |
35000 |
原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
TO3P3 SC653 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |