FQA19N60中文资料N 沟道 QFET® MOSFET 600V，18.5A，380mΩ数据手册ONSEMI规格书
FQA19N60规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•18.5A, 600V, RDS(on)= 380mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 9.3A栅极电荷低（典型值：70nC)
•低 Crss（典型值35pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机
• Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor Correction (PFC)
• Electronic Lamp Ballasts
技术参数
- 制造商编号
：FQA19N60
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：18.5
- PD Max (W)
：300
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：380
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：70
- Ciss Typ (pF)
：2800
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3420 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3P |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
F |
24+ |
TO 220 |
162496 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
10+ |
TO-247 |
2 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO-247 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-3P |
50000 |
原装正品 力挺实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-3PN |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ONSEMI |
2021 |
NA |
450 |
全新原装!优势库存热卖中! |
询价 |
