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FQA19N60数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQA19N60

功能描述

N 沟道 QFET® MOSFET 600V,18.5A,380mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 20:00:00

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FQA19N60规格书详情

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。

特性 Features

•18.5A, 600V, RDS(on)= 380mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 9.3A栅极电荷低(典型值:70nC)
•低 Crss(典型值35pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested

应用 Application

• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机
• Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor Correction (PFC)
• Electronic Lamp Ballasts

技术参数

  • 制造商编号

    :FQA19N60

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :18.5

  • PD Max (W)

    :300

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :380

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :70

  • Ciss Typ (pF)

    :2800

  • Package Type

    :TO-3P-3L

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