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FQA47P06	文件：717.71 Kbytes Page：8 Pages	60V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：717.71 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA47P06	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V P-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQAF47P06	文件：710.31 Kbytes Page：8 Pages	60V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：710.31 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQB47P06	文件：988.34 Kbytes Page：9 Pages	60V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：988.34 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQB47P06	文件：345.53 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=-47A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=-60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =26mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
FQA47P06
功能描述：
MOSFET 60V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQA47P06供应商更新时间2025-12-14 9:19:00

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