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FQA44N10

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=48A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=400V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =39mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve

文件:362.89 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FQA44N10

100V N-Channel MOSFET

文件:570.47 Kbytes 页数:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQA44N10

100V N-Channel MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

FQA44N10100

100V N-Channel MOSFET

文件:570.47 Kbytes 页数:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

详细参数

  • 型号:

    FQA44N10

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD
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更多FQA44N10供应商 更新时间2025-12-5 16:30:00