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FQAF11N90C	文件：633.39 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
11N90	文件：199.59 Kbytes Page：6 Pages	11Amps,900VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC11N90isanN-channelenhancementmodePowerFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecostomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyspecializesinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhigh	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
11N90	文件：54.69 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
11N90C	文件：823.6 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FIR11N90ANG	文件：1.8274 Mbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FMH11N90E	文件：533.21 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FML11N90	文件：117.87 Kbytes Page：2 Pages	11Amps900VoltageNChannelMOSFET	FCI Amphenol ICC
FMR11N90E	文件：519.88 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FMV11N90E	文件：514.38 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FQA11N90	文件：679.35 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology. ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighavalanch	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA11N90	文件：816.8 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA11N90	文件：828.46 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA11N90	文件：362.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=11.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.96Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQA11N90C	文件：817.11 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA11N90C	文件：823.6 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA11N90C	文件：707.76 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA11N90C	文件：362.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQAF11N90	文件：663.85 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQAF11N90	文件：421.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=7.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.96Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
HFA11N90	文件：200.07 Kbytes Page：7 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.

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详细参数

型号：
FQAF11N90C
功能描述：
MOSFET N-CH/900V/7A/A.QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FQAF11N90C	onsemi	23+	TO-3PF	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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深圳市星佑电子有限公司	FQAF11N90C	仙童	06+	TO-247F	800	原装库存	询价
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更多FQAF11N90C供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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