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FQA6N90	文件：774.13 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：774.13 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA6N90	文件：369.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=6.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =2.3Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv 文件：369.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQA6N90	文件：300 bytes Page：1 Pages	900V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQA6N90C	文件：611.92 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig 文件：611.92 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA6N90C	文件：331.5 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ·FEATURES ·Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =2.0Ω (typ.) ·Enhancement mode: VGS(th) = 3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Switching Voltage Regulators 文件：331.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQA6N90C	文件：797.3 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：797.3 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA6N90C	文件：789.54 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：789.54 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA6N90C_06	文件：789.54 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：789.54 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA6N90C_07	文件：797.3 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：797.3 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA6N90C_F109	文件：797.3 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：797.3 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
N-Channel QFET® MOSFET 900V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
V(BR)DSS Min (V)：
900
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
6
PD Max (W)：
198
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
2300
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
30
Ciss Typ (pF)：
1360
Package Type：
TO-3P-3LD / EIAJ SC-65

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQA6N90	onsemi(安森美)	24+	TO-3P	8110	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多FQA6N90供应商更新时间2025-12-24 9:12:00

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