900V N-Channel MOSFET

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

·FEATURES ·Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =2.0Ω (typ.) ·Enhancement mode: VGS(th) = 3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Switching Voltage Regulators

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ISC

无锡固电

900V N-Channel MOSFET

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900V N-Channel MOSFET

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900V N-Channel MOSFET

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900V N-Channel MOSFET

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900V N-Channel MOSFET

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900V N-Channel MOSFET

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Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 6 A, 2.3 Ω, TO-3P

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •6A, 900V, RDS(on)= 2.3Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3A栅极电荷低（典型值：30nC)\n•低 Crss（典型值11pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半导体

功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，6 A，2.3 Ω，TO-3P

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •6A, 900V, RDS(on)= 2.3Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3A栅极电荷低（典型值：30nC)\n•低 Crss（典型值11pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;

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