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FQA8N80C | 800V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with 文件：602.92 Kbytes 页数：8 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | |
FQA8N80C | 800V N-Channel MOSFET 文件：791.39 Kbytes 页数：9 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | |
FQA8N80C | 800V N-Channel MOSFET 文件：792.91 Kbytes 页数：8 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | |
800V N-Channel MOSFET 文件：791.39 Kbytes 页数：9 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | ||
800V N-Channel MOSFET 文件：792.91 Kbytes 页数：8 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | ||
800V N-Channel MOSFET 文件：792.91 Kbytes 页数：8 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | ||
800V N-Channel MOSFET 文件：791.39 Kbytes 页数：9 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | ||
FQA8N80C | 800V N-Channel MOSFET | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
详细参数
- 型号：
FQA8N80C
- 功能描述：
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
TO-3P |
11543 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-3PN |
8866 |
询价 | |||
FSC |
6200 |
原装 |
17 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
仙童 |
05+ |
TO-247 |
200 |
原装进口 |
询价 | ||
FSC |
25+ |
DIP-8 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
原厂 |
23+ |
TO3P |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
FSC |
24+ |
TO-3P |
673 |
全新原装环保 |
询价 | ||
harris |
16+ |
原厂封装 |
10000 |
全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询 |
询价 | ||
FSC |
22+ |
TO-3P |
5000 |
全新原装现货!自家库存! |
询价 | ||
FSC |
25+23+ |
TO-247 |
27707 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 |
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