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FQAF7N80	文件：778.77 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET 800V N-Channel MOSFET 文件：778.77 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQAF7N80	文件：300 bytes Page：1 Pages	800V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQB7N80	文件：802.07 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET Features • 6.6A, 800V, RDS(on) = 1.5Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 40 nC) • Low Crss ( typical 19 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability 文件：802.07 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI7N80	文件：802.07 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET Features • 6.6A, 800V, RDS(on) = 1.5Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 40 nC) • Low Crss ( typical 19 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability 文件：802.07 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI7N80	文件：842.57 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET Features • 6.6A, 800V, RDS(on) = 1.5Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 40 nC) • Low Crss ( typical 19 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability 文件：842.57 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FQAF7N80
功能描述：
MOSFET 800V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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