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FQA9N90	文件：679.15 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand 文件：679.15 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA9N90	文件：814.06 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：814.06 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA9N90-F109	文件：2.02511 Mbytes Page：9 Pages	丝印：FQA9N90；Package：TO-3PN；N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 8.6 A, 1.3 Ω Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high aval 文件：2.02511 Mbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQA9N90C-F109	文件：1.96537 Mbytes Page：9 Pages	丝印：FQA9N90C；Package：TO-3PN；N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 9 A, 1.4 Ω Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high aval 文件：1.96537 Mbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQA9N90C	文件：342.14 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current ID=9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.4Ω(Max) ·100 Avalanche Tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High current , high speed swit 文件：342.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQA9N90C	文件：680.52 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig 文件：680.52 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA9N90_07	文件：814.06 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：814.06 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA9N90_F109	文件：814.06 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：814.06 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA9N90C	文件：2.27004 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi 9.0A,900V Planar N-Channel Power MOSFETs 文件：2.27004 Mbytes 页数：7 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
FQA9N90C	文件：804.61 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：804.61 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
N-Channel QFET® MOSFET 900V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
V(BR)DSS Min (V)：
900
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
8.6
PD Max (W)：
240
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1300
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
55
Ciss Typ (pF)：
2100
Package Type：
TO-3P-3LD / EIAJ SC-65

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	FQA9N90	FSC/仙童	13+	TO-3P	50000	深圳市勤思达科技有限公司主营仙童系列全新原装正品,公司现货供应FQA9N90 ,欢迎咨询洽谈。	询价
深圳市正迈科技有限公司	FQA9N90	FAIRCHILD	23+	N-MOSFET/900V/8.6A/1.3Ω	11213	正迈科技原装现货授权代理主营:IC电容.二三级管原装	询价
深圳市一线半导体有限公司	FQA9N90	FAIRCHILD	24+	TO-3P	73430		询价
深圳市星佑电子有限公司	FQA9N90	仙童	06+	TO-247	6000	自己公司全新库存绝对有货	询价
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	FQA9N90	FAIRCHIL仙童	25+	TO-3P	18000	原厂直接发货进口原装	询价
深圳市利加科技有限公司	FQA9N90	FAIRCHILD	16+	TO-3P	10000	全新原装现货	询价
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深圳市赛尔通科技有限公司	FQA9N90		23+	TO-3P	65480		询价

更多FQA9N90供应商更新时间2025-12-24 9:05:00

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