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FQA9N90C-F109	文件：1.96537 Mbytes Page：9 Pages	Marking：FQA9N90C；Package：TO-3PN；N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 9 A, 1.4 Ω Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETis producedusingONSemiconductor’sproprietaryplanar stripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFET technologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-state resistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceand highaval	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FQA9N90C-F109

文件：1.96537 Mbytes

Page：9 Pages

Marking：FQA9N90C；Package：TO-3PN；N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 9 A, 1.4 Ω

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETis producedusingONSemiconductor’sproprietaryplanar stripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFET technologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-state resistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceand highaval

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
FQA9N90C
功能描述：
MOSFET 900V N-Channel Q-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQA9N90C供应商更新时间2025-5-25 14:02:00

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