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FQD13N06L	文件：787.87 Kbytes Page：6 Pages	型号：FQD13N06LTM；Package：TO-252；60V N -Channel MOSFET Features ID=5.5A LowGateCharge(Typ.4.8nC) LowCrss(Typ.17pF) LowLevelGateDriveRequirementsAllowing DirectOperationformLogicDrivers VDS=60V RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司

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FQD13N06L

文件：787.87 Kbytes

Page：6 Pages

型号：FQD13N06LTM；Package：TO-252；60V N -Channel MOSFET

Features ID=5.5A LowGateCharge(Typ.4.8nC) LowCrss(Typ.17pF) LowLevelGateDriveRequirementsAllowing DirectOperationformLogicDrivers VDS=60V RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

详细参数

型号：
FQD13N06L
功能描述：
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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