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FQD5P20TM	文件：1.27206 Mbytes Page：11 Pages	丝印：FQD5P20；Package：DPAK；P-Channel QFET® MOSFET -200 V, -3.7 A, 1.4 Ω Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：1.27206 Mbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQD5P20TM	文件：1.27206 Mbytes Page：11 Pages	丝印：FQD5P20；Package：DPAK；P-Channel QFET® MOSFET -200 V, -3.7 A, 1.4 Ω Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：1.27206 Mbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQD5P20	文件：614.5 Kbytes Page：9 Pages	200V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：614.5 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQD5P20	文件：663.26 Kbytes Page：9 Pages	200V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：663.26 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQD5P20	文件：1.27206 Mbytes Page：11 Pages	P-Channel QFET® MOSFET -200 V, -3.7 A, 1.4 Ω Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：1.27206 Mbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQD5P20TM	文件：663.26 Kbytes Page：9 Pages	200V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：663.26 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQD5P20TM	文件：779.35 Kbytes Page：6 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= -200V, ID= -3.6A RDS(ON) 文件：779.35 Kbytes 页数：6 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
FQD5P20_08	文件：663.26 Kbytes Page：9 Pages	200V P-Channel MOSFET 文件：663.26 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

详细参数

型号：
FQD5P20
功能描述：
MOSFET 200V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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