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FQP4N90C	文件：1.20959 Mbytes Page：10 Pages	型号：FQP4N90C；Package：TO-220；N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 4.0 A, 4.2 Ω Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETis producedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanar stripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFET technologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-state resistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformance andhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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FQP4N90C

文件：1.20959 Mbytes

Page：10 Pages

型号：FQP4N90C；Package：TO-220；N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 4.0 A, 4.2 Ω

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETis producedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanar stripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFET technologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-state resistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformance andhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

详细参数

型号：
FQP4N90C
功能描述：
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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