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FQP4N90C	文件：1.20959 Mbytes Page：10 Pages	丝印：FQP4N90C；Package：TO-220；N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 4.0 A, 4.2 Ω Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and hi 文件：1.20959 Mbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP4N90C	文件：1.20959 Mbytes Page：10 Pages	丝印：FQP4N90C；Package：TO-220；N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 4.0 A, 4.2 Ω Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and hi 文件：1.20959 Mbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP4N90C	文件：899.03 Kbytes Page：10 Pages	900V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：899.03 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP4N90C	文件：920.84 Kbytes Page：10 Pages	900V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：920.84 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP4N90C_V01	文件：1.20959 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 4.0 A, 4.2 Ω Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and hi 文件：1.20959 Mbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP4N90C	文件：306.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：306.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
FQP4N90C
功能描述：
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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