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FQU2N60C	文件：979.34 Kbytes Page：8 Pages	型号：FQU2N60CTU；Package：I-PAK；N-Channel QFET짰 MOSFET 600 V, 1.9 A, 4.7 廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETis producedusingONSemiconductor’sproprietaryplanar stripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFET technologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-state resistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformance andhighaval	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FQU2N60C

文件：979.34 Kbytes

Page：8 Pages

型号：FQU2N60CTU；Package：I-PAK；N-Channel QFET짰 MOSFET 600 V, 1.9 A, 4.7 廓

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETis producedusingONSemiconductor’sproprietaryplanar stripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFET technologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-state resistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformance andhighaval

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
FQU2N60C
功能描述：
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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