| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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国产替代TO251-3 |
50000 |
2010 |
只做全新原装诚信经营现货长期供应 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-251 |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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FSCTO251 |
2720 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-251 |
11980 |
2122+ |
只做原装进口正品,假一赔十,价格优势 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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FSCDIP |
32500 |
16+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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原装正品原厂封装 |
16800 |
1912+ |
可17税一级代理 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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ONTO-251 |
10697 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)IPAK |
7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO251 |
106 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-251 |
21396 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-251 |
17128 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILD/仙童IPAK-3TO251 |
3580 |
2021+ |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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FAIRCHILDTO-251 |
48600 |
22+ |
绝对全新原装现货 欢迎来电查询 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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原厂TO-251 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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FSCTO251 |
28000 |
23+ |
原装正品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-251 |
68900 |
FSC |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-251 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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FAIRCHITO-251 |
12588 |
21+ |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCTO-251(IPAK) |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO251 |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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FQU2N60C图片
FQU2N60CTU价格
FQU2N60CTU价格：￥1.8191品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的FQU2N60CTU多少钱，想知道FQU2N60CTU价格是多少？参考价：￥1.8191。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FQU2N60CTU批发价格及采购报价，FQU2N60CTU销售排行榜及行情走势，FQU2N60CTU报价。
FQU2N60C资讯
FQU2N60C
制造商:FairchildSemiconductor产品种类:MOSFET晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600VVgs-栅源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:1.9ARdsOn-漏源导通电阻:4.7Ohms配置:Single最大工作温度:+150CPd-功率耗散:2.5W封装/箱体:IPAK-3商标:FairchildS
FQU2N60C 深圳市金柏信电子有限公司 原装正品电子元器首选
FQU2N60C深圳市金柏信电子有限公司
FQU2N60C中文资料Alldatasheet PDF
更多FQU2N60C制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQU2N60CTLTU功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQU2N60CTU功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
