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FQP4N90C中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FQP4N90C
厂商型号

FQP4N90C

功能描述

N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 4.0 A, 4.2 Ω

丝印标识

FQP4N90C

封装外壳

TO-220

文件大小

1.20959 Mbytes

页面数量

10

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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FQP4N90C规格书详情

描述 Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is

produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar

stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET

technology has been especially tailored to reduce on-state

resistance, and to provide superior switching performance

and high avalanche energy strength. These devices are

suitable for switched mode power supplies, active power

factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

特性 Features

• 4.0 A, 900 V, RDS(on) = 4.2 Ω (Max.) @ VGS = 10 V,

ID = 2.0 A

• Low Gate Charge (Typ. 17 nC)

• Low Crss (Typ. 5.6 pF)

• 100% Avalanche Tested

产品属性

  • 型号:

    FQP4N90C

  • 功能描述:

    MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
TO-220
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