FQU17P06TU芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

首页 >丝印反查>FQU17P06

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
FQU17P06TU	文件：1.59143 Mbytes Page：11 Pages	丝印：FQU17P06；Package：IPAK；P-Channel QFET® MOSFET -60 V, -12 A, 135 mΩ Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：1.59143 Mbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQU17P06TU	文件：1.59143 Mbytes Page：11 Pages	丝印：FQU17P06；Package：IPAK；P-Channel QFET® MOSFET -60 V, -12 A, 135 mΩ Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：1.59143 Mbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQU17P06	文件：682.2 Kbytes Page：9 Pages	60V P-Channel MOSFET Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：682.2 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQU17P06	文件：1.44351 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel QFET짰 MOSFET -60 V, -12 A, 135 m廓 Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：1.44351 Mbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQU17P06TU	文件：1.44351 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel QFET짰 MOSFET -60 V, -12 A, 135 m廓 Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：1.44351 Mbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQU17P06	文件：892.15 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel QFET MOSFET 文件：892.15 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQU17P06	文件：973.08 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：973.08 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
FQU17P06	文件：371.6 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：371.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQU17P06_09	文件：812.35 Kbytes Page：9 Pages	60V P-Channel MOSFET 文件：812.35 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

详细参数

型号：
FQU17P06
功能描述：
MOSFET -60V Single
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FQU17P06TU	原装	25+	标准	38918	热卖原装进口	询价
标准国际(香港)有限公司	FQU17P06TU	ONSEMI	25+	NA	30240	全新原装!优势库存热卖中!	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	FQU17P06TU	ON/安森美	22+	TO-251	10000	原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQU17P06TU	ON/安森美	24+	TO-251	10588	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市芯球通科技有限公司	FQU17P06TU	ON(安森美)	23+	TO-251-3	9871	公司只做原装正品,假一赔十	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	FQU17P06TU	ON	2024+	N/A	70000	柒号只做原装现货价秒杀全网	询价
深圳市天芯威科技有限公司	FQU17P06TU	ON(安森美)	23+		25900	新到现货,只有原装	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	FQU17P06TU	ON	24+	TO251-3	7850	只做原装正品现货或订货假一赔十!	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	FQU17P06TU	ON(安森美)	2511	TO-251-3	8790	电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价	询价
深圳市达恩科技有限公司	FQU17P06TU	ONSemiconductor	24+	NA	3000	进口原装正品优势供应	询价

更多FQU17P06供应商更新时间2025-11-25 19:32:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号