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FQP47P06	文件：521.22 Kbytes Page：8 Pages	型号：FQP47P06；Package：TO-220；-60V P-Channel MOSFET Features ID=-47A VDS(V)=-60V RDS(on)=26m(VGS=-10V) LowGateCharge(Typ.84nC) LowCrss(Typ.320pF) 100AvalancheTested 175°CMaximumJunctionTemperatureRating	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司

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FQP47P06

文件：521.22 Kbytes

Page：8 Pages

型号：FQP47P06；Package：TO-220；-60V P-Channel MOSFET

Features ID=-47A VDS(V)=-60V RDS(on)=26m(VGS=-10V) LowGateCharge(Typ.84nC) LowCrss(Typ.320pF) 100AvalancheTested 175°CMaximumJunctionTemperatureRating

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

详细参数

型号：
FQP47P06
功能描述：
MOSFET 60V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQP47P06供应商更新时间2025-8-1 14:13:00

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