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FQD19N10 | 型号:FQD19N10LTM;Package:TO-252;100V N -Channel MOSFET Features LowGateCharge(Typ.14nC) LowCrss(Typ.35pF) VDS(V)=100V ID=15.6A(VGS=10V) RDS(ON) | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司 |
详细参数
- 型号:
FQD19N10
- 功能描述:
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-252 |
35048 |
ON/安森美全新特价FQD19N10LTM即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
SOT252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
询价 | |||
ONSEMI |
20+ROHS |
NA |
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ON(安森美) |
2023+ |
D-PAK |
4550 |
全新原装正品 |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT252 |
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更新时间2025-8-1 15:01:00
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