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FQB22P10TM	文件：3.54075 Mbytes Page：5 Pages	丝印：FQB22P10；Package：TO-263；P-Channel Power MOSFET Application + DC/DC Converter « Portable equipment and batt © Power Switch 文件：3.54075 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
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FQB22P10	文件：636.26 Kbytes Page：9 Pages	100V P-Channel MOSFET Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high a 文件：636.26 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB22P10	文件：861.93 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel QFET MOSFET 文件：861.93 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FQB22P10TM_F085	文件：662.96 Kbytes Page：8 Pages	100V P-Channel MOSFET 文件：662.96 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FQB22P10
功能描述：
MOSFET 100V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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