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FQB34P10TM	文件：2.63997 Mbytes Page：4 Pages	丝印：FQB34P10；Package：TO-263；P-Channel Power MOSFET Application + DC/DC Converter Portable equipment and battery « Power Switch 文件：2.63997 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
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FQB34P10	文件：287.95 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=-33.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 60mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Switched mode power supplies,audio amplifier, DC motor control,and variable switching power applications. 文件：287.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQB34P10	文件：717.12 Kbytes Page：9 Pages	100V P-Channel MOSFET 文件：717.12 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB34P10	文件：526.41 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel QFET MOSFET 文件：526.41 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB34P10_13	文件：526.41 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel QFET MOSFET 文件：526.41 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB34P10TM	文件：1.20275 Mbytes Page：8 Pages	100V P-Channel MOSFET 文件：1.20275 Mbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB34P10TM-F085	文件：1.20275 Mbytes Page：8 Pages	-33.5A, -100V, RDS(on) = 0.06廓 @VGS = -10 V 文件：1.20275 Mbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FQB34P10
功能描述：
MOSFET 100V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQB34P10供应商更新时间2025-9-21 14:14:00

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