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FQB34P10TM

100V P-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FQB34P10TM-F085

-33.5A, -100V, RDS(on) = 0.06廓 @VGS = -10 V

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FQB34P10

100VP-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FQB34P10

P-ChannelQFETMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FQB34P10

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-33.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=60mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Switchedmodepowersupplies,audioamplifier, DCmotorcontrol,andvariableswitchingpowerapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

FQI34P10

P-ChannelQFETMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FQI34P10

100VP-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

详细参数

  • 型号:

    FQB34P10TM

  • 功能描述:

    MOSFET 100V P-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi
23+
D2PAK(TO-263)
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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FSC
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TO-263(D2
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TO263
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TO-263
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ON(安森美)
2023
10000
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更多FQB34P10TM供应商 更新时间2024-4-27 14:14:00