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FQB34P10TM	文件：2.63997 Mbytes Page：4 Pages	Marking：FQB34P10；Package：TO-263；P-Channel Power MOSFET Application +DC/DCConverter Portableequipmentandbattery «PowerSwitch	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
FQB34P10TM	文件：1.20275 Mbytes Page：8 Pages	100V P-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB34P10TM-F085	文件：1.20275 Mbytes Page：8 Pages	-33.5A, -100V, RDS(on) = 0.06廓 @VGS = -10 V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB34P10	文件：287.95 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-33.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=60mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Switchedmodepowersupplies,audioamplifier, DCmotorcontrol,andvariableswitchingpowerapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
FQB34P10TM
功能描述：
MOSFET 100V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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