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FQB34P10TM_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQB34P10TM_F085规格书详情
描述 Description
这些P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。
特性 Features
-33.5 A、-100 V、RDS(on) = 0.06Ω (VGS = -10 V)
低栅极电荷(典型值85 nC)
低Crss(典型值170pF)
快速开关
100% 经过雪崩击穿测试
提高了 dv/dt 性能
175°C最大结温额定值
符合 AEC Q101 标准
符合 RoHS 标准
应用 Application
传动系
技术参数
- 制造商编号
:FQB34P10TM_F085
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:AEC QualifiedPPAP CapablePb-free
- Status
: Active
- Description
: 100V P-Channel MOSFET -33.5A
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:
- V(BR)DSS Min (V)
:-100
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:-4
- ID Max (A)
:
- PD Max (W)
:155
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:
- Ciss Typ (pF)
:2240
- Package Type
:D2PAK-3 / TO-263-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
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18500 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
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TO-2632L(D2PAK) |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
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D2PAK |
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FAIRCHILD |
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TO-263 |
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FAIRCHILD |
21+ |
D2PAK |
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ON Semiconductor |
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D2PAK(TO-263AB) |
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1983 |
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询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
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TO-263-3 |
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Fairchild/ON |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+ |
TO-2632L(D2PAK) |
12300 |
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询价 |