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FQB34P10TM_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQB34P10TM_F085

功能描述

FQB34P10TM_F085: 100V P-Channel MOSFET -33.5A, 60mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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FQB34P10TM_F085规格书详情

描述 Description

这些P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。

特性 Features

-33.5 A、-100 V、RDS(on) = 0.06Ω (VGS = -10 V)
低栅极电荷(典型值85 nC)
低Crss(典型值170pF)
快速开关
100% 经过雪崩击穿测试
提高了 dv/dt 性能
175°C最大结温额定值
符合 AEC Q101 标准
符合 RoHS 标准

应用 Application

传动系

技术参数

  • 制造商编号

    :FQB34P10TM_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : 100V P-Channel MOSFET -33.5A

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-100

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :-4

  • ID Max (A)

    : 

  • PD Max (W)

    :155

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    : 

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    : 

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    : 

  • Ciss Typ (pF)

    :2240

  • Package Type

    :D2PAK-3 / TO-263-2

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