FQB34N20L中文资料功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，31 A，80 mΩ，D2PAK数据手册ONSEMI规格书
FQB34N20L规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•31A, 200V, RDS(on)= 75mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 15.5A栅极电荷低（典型值：55nC)
•低 Crss（典型值52pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•低电平栅极驱动要求允许直接从逻辑驱动器进行操作
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQB34N20L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：31
- PD Max (W)
：180
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：75
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：55
- Ciss Typ (pF)
：3000
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VB |
25+ |
TO-263-D2PAK |
10000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO263 |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-263 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO263 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
仙童 |
06+ |
TO-263 |
3500 |
原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-263(D2PAK) |
90000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO263 |
1709 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
82000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO263 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
询价 |
