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FQB25N33TM_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQB25N33TM_F085

功能描述

N 沟道,QFET® MOSFET,330V,25A,230mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:24:00

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FQB25N33TM_F085规格书详情

描述 Description

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大程度地降低导通阻抗,提供卓越开关性能,以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

特性 Features

•25A,330V,RDS(on) = 0.23Ω @VGS = 10V
•低栅极电荷(典型值58nC)
•低Crss(典型值40pF)
•快速开关
•100%经过雪崩测试
•可提高dv/dt处理能力
•符合AEC Q101
•符合RoHS标准

应用 Application

• 传动系

技术参数

  • 制造商编号

    :FQB25N33TM_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : 330V N-Channel QFET® MOSFET 25A

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :330

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :25

  • PD Max (W)

    :250

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :230

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :58

  • Ciss Typ (pF)

    :1510

  • Package Type

    :D2PAK-3 / TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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