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FQB25N33TM_F085中文资料N 沟道，QFET® MOSFET，330V，25A，230mΩ数据手册ONSEMI规格书
FQB25N33TM_F085规格书详情
描述 Description
这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大程度地降低导通阻抗，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
特性 Features
•25A，330V，RDS(on) = 0.23Ω @VGS = 10V
•低栅极电荷（典型值58nC）
•低Crss（典型值40pF）
•快速开关
•100%经过雪崩测试
•可提高dv/dt处理能力
•符合AEC Q101
•符合RoHS标准
应用 Application
• 传动系
技术参数
- 制造商编号
：FQB25N33TM_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：AEC QualifiedPPAP CapablePb-free
- Status
： Active
- Description
： 330V N-Channel QFET® MOSFET 25A
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：
- V(BR)DSS Min (V)
：330
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：25
- PD Max (W)
：250
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：230
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：58
- Ciss Typ (pF)
：1510
- Package Type
：D2PAK-3 / TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild/ON |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Fairchild |
23+ |
33500 |
询价 | ||||
仙童 |
06+ |
TO-263 |
3800 |
原装库存 |
询价 | ||
FAIRC |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1709+ |
SOT-263 |
32500 |
普通 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
21+ |
D2PAK(TO-263AB) |
800 |
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!! |
询价 | ||
ON |
22+ |
6000 |
代理原装正品 |
询价 | |||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO263 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
230 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Fairchild仙童 |
25+ |
D2PAK |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
