FQB19N20C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，19 A，170 mΩ，D2PAK数据手册ONSEMI规格书
FQB19N20C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•19A, 200V, RDS(on)= 170mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 9.5A栅极电荷低（典型值：40.5nC)
•低 Crss（典型值85pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQB19N20C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：19
- PD Max (W)
：139
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：170
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：40.5
- Ciss Typ (pF)
：830
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VB |
25+ |
TO-263-D2PAK |
10008 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-263 |
12800 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-263 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO263 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO263 |
1709 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON |
23+ |
TO-263 |
1600 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2447 |
TO263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
