FQB1P50中文资料功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-500 V，-1.5 A，10.5 Ω，D2PAK数据手册ONSEMI规格书
FQB1P50规格书详情
描述 Description
该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•-1.5A, -500V, RDS(on)= 10.5Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = -0.75A栅极电荷低（典型值：11nC)
•低 Crss（典型值6pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQB1P50
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-500
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：-5
- ID Max (A)
：-1.5
- PD Max (W)
：63
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：10500
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：11
- Ciss Typ (pF)
：270
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCILD |
22+ |
TO-263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON/ |
24+ |
TO-263 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | |||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-263 |
1255 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-263(D2PAK) |
8866 |
询价 | |||
ON/安森美 |
23+ |
TO-263 |
137500 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+ |
5 |
公司优势库存 热卖中! |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
D2-PAKTO-263 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
D2PAK |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 |
