FQB1P50数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQB1P50规格书详情
描述 Description
该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•-1.5A, -500V, RDS(on)= 10.5Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = -0.75A栅极电荷低（典型值：11nC)
•低 Crss（典型值6pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQB1P50
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-500
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：-5
- ID Max (A)
：-1.5
- PD Max (W)
：63
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：10500
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：11
- Ciss Typ (pF)
：270
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
D2PAK |
7350 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
1355 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
TO-263 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FSC |
24+ |
TO-263 |
20000 |
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FAIRCHILD |
1822+ |
TO-263(D |
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FAIRCHILD |
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TO-263 |
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FAIRCHILD |
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