FQB19N20L中文资料N 沟道 QFET® MOSFET 200V, 21A, 140mΩ数据手册ONSEMI规格书
FQB19N20L规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•21A, 200V, RDS(on)= 140mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 10.5A栅极电荷低（典型值：27nC)
•低 Crss（典型值30pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•低电平栅极驱动要求允许直接从逻辑驱动器进行操作
•Low level gate drive requirement allowing direct operation from logic drivers
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQB19N20L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：21
- PD Max (W)
：140
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：140
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：27
- Ciss Typ (pF)
：1700
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
21+ |
TO263 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
VBsemi/台湾微碧 |
21+ |
TO-263-D2PAK |
10654 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
SOT263 |
19980 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-263 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
FAIRC |
2023+ |
TO-263(D2PAK |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
FSC |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
22+ |
N/A |
10400 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
TO-263 |
3000 |
现货库存 |
询价 | |||
FAIRCHIL |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 |
