FQB19N20L数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQB19N20L规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•21A, 200V, RDS(on)= 140mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 10.5A栅极电荷低（典型值：27nC)
•低 Crss（典型值30pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•低电平栅极驱动要求允许直接从逻辑驱动器进行操作
•Low level gate drive requirement allowing direct operation from logic drivers
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQB19N20L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：21
- PD Max (W)
：140
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：140
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：27
- Ciss Typ (pF)
：1700
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHI |
23+ |
TO-263 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
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TO-263 |
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TO-263 |
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TO-263 |
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TO-263 |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO263 |
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询价 |
