FQB22P10中文资料P 沟道 QFET® MOSFET -100V，-22A，125mΩ数据手册ONSEMI规格书
FQB22P10规格书详情
描述 Description
该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•-22A, -100V, RDS(on)=125mΩ（最大值）@VGS = -10 V, ID = -11A
•低栅极电荷（典型值 40nC）
•低 Crss（典型值160pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQB22P10
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-100
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-22
- PD Max (W)
：125
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：125
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：40
- Ciss Typ (pF)
：1170
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO263 |
10146 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-263(D2PAK) |
8866 |
询价 | |||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
原厂原封 |
6523 |
进口原装公司百分百现货可出样品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-263 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRC |
2023+ |
TO-263(D2PAK |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
仙童 |
06+ |
TO-263 |
3800 |
原装 |
询价 | ||
Fairchild |
23+ |
33500 |
询价 | ||||
FAIRCHIL |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOT263 |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 |
