FQB34N20中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，31 A，75 mΩ，D2PAK数据手册ONSEMI规格书
FQB34N20规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•31A, 200V, RDS(on)= 75mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 15.5A栅极电荷低（典型值：60nC)
•低 Crss（典型值55pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQB34N20
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：31
- PD Max (W)
：180
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：75
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：60
- Ciss Typ (pF)
：2400
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi |
21+ |
TO263 |
10026 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHIL |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
VB |
25+ |
TO-263-D2PAK |
10030 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT-263 |
21590 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO263 |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
D2-PAKTO-263 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO263 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
仙童 |
06+ |
TO-263 |
3500 |
原装库存 |
询价 |
