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FQA8N90C_F109

900V N-Channel MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQA8N90C_F109

900V N-Channel MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 8.0 A, 1.9 Ω, TO-3P

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。 •8A, 900V, RDS(on)= 1.9Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 4A栅极电荷低(典型值:35nC)\n•低 Crss(典型值12pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半导体

FQA8N90C-F109

N-Channel QFET짰 MOSFET 900 V, 8 A, 1.9 廓

文件:1.08194 Mbytes 页数:8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQA8N90C-F109

N 沟道 QFET® MOSFET 900V, 8.0A, 1.9Ω

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。 •8A, 900V, RDS(on)= 1.9Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 4A栅极电荷低(典型值:35nC)\n•低 Crss(典型值12pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Compliance:

    Pb-free

  • Status:

     Active  

  • Description:

     N-Channel QFET® MOSFET 900V

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

     

  • V(BR)DSS Min (V):

    900

  • VGS Max (V):

    ±30

  • VGS(th) Max (V):

    5

  • ID Max (A):

    8

  • PD Max (W):

    240

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    1900

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    35

  • Ciss Typ (pF):

    1600

  • Package Type:

    TO-3P-3LD / EIAJ SC-65

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD/仙童
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更多FQA8N90C_F109供应商 更新时间2025-10-8 14:00:00