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FQA7N90M	文件：678.29 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA7N90M	文件：788.01 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA7N90M_06	文件：788.01 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA7N90M_F109	文件：788.01 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
7N90	文件：173.28 Kbytes Page：6 Pages	900VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC7N90isanN-channelmodePowerFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecostumerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyspecializesinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulsei	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N90	文件：185.44 Kbytes Page：6 Pages	7A,900VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N90	文件：67.87 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
7N90	文件：394.25 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
7N90A	文件：291.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQA7N90	文件：674.07 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQAF7N90	文件：680.08 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IXFH7N90	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH7N90	文件：372.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH7N90Q	文件：372.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH7N90Q	文件：55.71 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTMPowerMOSFETsQ-Class HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching •Internationalstandardpackages •LowRDS(on) •UnclampedInductiveSwitch	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFM7N90	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFT7N90Q	文件：141.1 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFT7N90Q	文件：55.71 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTMPowerMOSFETsQ-Class HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching •Internationalstandardpackages •LowRDS(on) •UnclampedInductiveSwitch	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
SSF7N90A	文件：249.1 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSH7N90A	文件：246.12 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •LowerLeakageCurrent:25µA(Max.)@VDS=900V •LowerRDS(ON):1.247Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
FQA7N90M
功能描述：
MOSFET 900V Single
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQA7N90M供应商更新时间2024-5-8 13:39:00

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