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FQA8N80	文件：693.76 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand 文件：693.76 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA8N80	文件：369.15 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=8.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.55Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：369.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQA8N80	文件：778.5 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：778.5 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA8N80	文件：300 bytes Page：1 Pages	800V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQA8N80C	文件：602.92 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with 文件：602.92 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA8N80_06	文件：778.5 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：778.5 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA8N80_F109	文件：778.5 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：778.5 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA8N80C	文件：792.91 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：792.91 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA8N80C	文件：791.39 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：791.39 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA8N80C_06	文件：791.39 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：791.39 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

详细参数

型号：
FQA8N80
功能描述：
MOSFET 800V N-Channel QFET Q-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQA8N80供应商更新时间2025-12-24 9:12:00

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