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FQAF9P25	文件：555.34 Kbytes Page：8 Pages	250V P-Channel MOSFET 文件：555.34 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQAF9P25	文件：300 bytes Page：1 Pages	250V P-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQB9P25	文件：573.96 Kbytes Page：9 Pages	250V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand a 文件：573.96 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQI9P25	文件：573.96 Kbytes Page：9 Pages	250V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand a 文件：573.96 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQP9P25	文件：563.5 Kbytes Page：8 Pages	250V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand a 文件：563.5 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

详细参数

型号：
FQAF9P25
功能描述：
MOSFET 250V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQAF9P25供应商更新时间2025-12-1 10:22:00

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