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FQB14N30TM

300V N-CHANNEL MOSFET

Features • 14.4A, 300V, RDS(on) = 0.29Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 30 nC) • Low Crss ( typical 23 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability • RoHS Compliant

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FAIRCHILD

仙童半导体

FQI14N30

300V N-Channel MOSFET

Features • 14.4A, 300V, RDS(on) = 0.29Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 30 nC) • Low Crss ( typical 23 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability • RoHS Compliant

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FAIRCHILD

仙童半导体

FQP14N30

300V N-Channel MOSFET

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文件:728.58 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQP14N30

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=14.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.29Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:303 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    FQB14N30TM

  • 功能描述:

    MOSFET 300V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多FQB14N30TM供应商 更新时间2026-1-24 13:31:00